По информации корейских СМИ, Samsung планирует в ближайшем будущем запустить производство нового поколения памяти V-NAND, это будет уже 9-ое поколение.
В этом поколении ожидается представление памяти с 290 слоями, использующей передовые технологии наложения слоев и электрических соединений между ними. На данный момент максимальное количество слоев в предлагаемых решениях составляет 236. Выпуск V-NAND 9-го поколения позволит Samsung установить новый стандарт в индустрии. Появление такой памяти ожидается уже в следующем месяце.
По информации СМИ, сейчас уже идёт работа над 10-м поколением памяти V-NAND, где Samsung стремится достичь показателя в 430 слоев. Однако ожидается, что данная память появится лишь в следующем году. Похоже, что индустрия памяти NAND вступила в горячую гонку за количество слоев, и Samsung на данный момент уверенно лидирует, опережая конкурентов SK Hynix и Kioxia.
Ранее разработчики компьютерной игры Pioner из студии GFA Games показали пользователям один из видов противников, который на вид даже безобиден.
